| 代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) |
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周四,在存储芯片股的引领下 ,韩国股市再创历史新高。
韩国基准股指KOSPI指数周四高开高走,截至发稿涨幅已经扩大至2.7%,触及5499.79点的历史高点 。
其中 ,存储芯片巨头领涨。三星电子股价涨至记录高位,目前涨幅已扩大至近6%;而SK海力士目前涨近4%。
消息面上,韩国海关周三公布的数据显示 ,2月前10天,韩国半导体出口额达到67.3亿美元,同比飙涨137.6% 。
同日,三星电子首席技术官Song Jai-hyuk表示 ,内存强劲需求料持续到2027年。他还重点强调,三星公司的HBM4芯片显示出“良好的 ”制造良率,客户对其性能表示非常满意。
市场普遍预期 ,三星电子将在下周农历新年假期后开始向英伟达发货HBM4产品 。
而此前一天,有消息称,韩国SK集团会长崔泰源近期在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面。双方就高带宽内存(HBM)供应以及更广泛的人工智能(AI)业务合作事宜进行了商讨。
今年以来 ,Kospi指数已累计上涨近30%,背后驱动因素包括AI驱动的半导体超级周期以及政策改革重塑市场信心等。
韩国存储芯片股追随了隔夜美股存储芯片板块的走势 。周三,美股存储概念板块大涨 ,闪迪涨10.65%,美光科技涨9.94%,西部数据涨逾2% ,希捷科技涨近3%。
上周,半导体行业研究机构SemiAnalysis发布报告预计,英伟达Vera Rubin首年量产将主要采用韩国公司的HBM4,美光产品或被排除在外。
美光首席财务官 Mark Murphy 在周三举行的一场会议上澄清称 ,其HBM4已进入量产,整体进度好于此前预期,并开始供货给客户 。
摩根士丹利周三将美光科技目标价从350美元上调至450美元 ,同时维持对该股的"增持"评级,并预计2026年每股收益将达52美元。
大摩将其更为乐观的展望归因于持续上涨的DRAM价格和供应短缺。该行指出,今年DDR5价格大幅上涨 ,现货价格较1月合约价格高出约130% 。该行预计,由于2026年供应增长仍将受到限制,主流DRAM价格将进一步上涨。
此外 ,德意志银行周二将美光的目标价从300美元上调至500美元,理由是存储板块供需动态有利。
德银分析师Melissa Weathers称,她预计动态随机存取存储器(DRAM)的供应紧张局面将持续至2027年乃至2028年——尤其是AI热潮推动了市场对高带宽内存(HBM)的需求激增 。
Weathers还指出 ,与传统DRAM相比,HBM的“硅密集度”大约高出三倍,这意味着它需要更多用于切割芯片的晶圆。她表示,这种高密集度“正引发一场我们认为尚未被充分理解的供应冲击”。
与此同时 ,Weathers称,新的DRAM晶圆厂至少需要两年时间才能投产,而现有工厂目前的扩张能力有限 ,无法缓解需求压力 。
(文章来源:财联社)
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